Analiza mikrostruktury i ocena materiałów półprzewodnikowych
Wprowadzenie do usługi
Ze względu na ciągły rozwój układów scalonych na dużą skalę, proces produkcji układów scalonych staje się coraz bardziej złożony, a nieprawidłowa mikrostruktura i skład materiałów półprzewodnikowych utrudniają poprawę wydajności układów scalonych, co stwarza duże wyzwania dla wdrażania nowych technologii półprzewodnikowych i układów scalonych.
GRGTEST oferuje kompleksową analizę i ocenę mikrostruktury materiałów półprzewodnikowych, aby pomóc klientom udoskonalić procesy produkcji półprzewodników i układów scalonych, w tym przygotowanie profilu na poziomie wafli i analizę elektroniczną, kompleksową analizę właściwości fizycznych i chemicznych materiałów związanych z produkcją półprzewodników, formułowanie i wdrażanie programu analizy zanieczyszczeń materiałów półprzewodnikowych.
Zakres usług
Materiały półprzewodnikowe, organiczne materiały małocząsteczkowe, materiały polimerowe, hybrydowe materiały organiczno-nieorganiczne, nieorganiczne materiały niemetaliczne
Program serwisowy
1. Przygotowanie profilu płytki chipowej i analiza elektroniczna w oparciu o technologię skupionej wiązki jonów (DB-FIB), precyzyjne cięcie lokalnego obszaru chipa i obrazowanie elektroniczne w czasie rzeczywistym umożliwiają uzyskanie struktury profilu chipa, jego składu i innych ważnych informacji o procesie;
2. Kompleksowa analiza właściwości fizycznych i chemicznych materiałów do produkcji półprzewodników, w tym materiałów polimerowych organicznych, materiałów małocząsteczkowych, analiza składu nieorganicznych materiałów niemetalicznych, analiza struktury molekularnej itp.;
3. Formułowanie i wdrażanie planu analizy zanieczyszczeń dla materiałów półprzewodnikowych. Może pomóc klientom w pełni zrozumieć fizyczne i chemiczne właściwości zanieczyszczeń, w tym: analizę składu chemicznego, analizę zawartości składników, analizę struktury molekularnej i inne analizy fizycznych i chemicznych właściwości.
Elementy usługowe
| Pracatyp | Pracarzeczy |
| Analiza składu pierwiastkowego materiałów półprzewodnikowych | l Analiza pierwiastkowa EDS, l Analiza pierwiastkowa metodą spektroskopii fotoelektronów rentgenowskich (XPS) |
| Analiza struktury molekularnej materiałów półprzewodnikowych | l Analiza widma podczerwieni FT-IR, l Analiza spektroskopowa metodą dyfrakcji rentgenowskiej (XRD), l Analiza trzasków metodą rezonansu magnetycznego jądrowego (H1NMR, C13NMR) |
| Analiza mikrostrukturalna materiałów półprzewodnikowych | l Analiza przekroju podwójnie zogniskowanej wiązki jonów (DBFIB), l Do pomiaru i obserwacji morfologii mikroskopowej zastosowano skaningową mikroskopię elektronową z emisją polową (FESEM), l Mikroskopia sił atomowych (AFM) do obserwacji morfologii powierzchni |
-
Telefon
-
E-mail
-
Szczyt